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STD86N3LH5 80A/30V TO252 N沟道 MOS场效应管

发布时间2022-6-7 11:39:00关键词:STD86N3LH5
摘要

STD86N3LH5

STD86N3LH5

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 22 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 70 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 10.8 ns

高度: 2.4 mm

长度: 6.6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 14 ns

系列: STD86N3LH5

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 23.6 ns

典型接通延迟时间: 6 ns

宽度: 6.2 mm

单位重量: 330 mg