制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 490 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SI1967DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-E3
