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NVR4501NT1G N沟道 MOS场效应管 全新原装正品

发布时间2022-5-25 11:51:00关键词:NVR4501NT1G
摘要

NVR4501NT1G

NVR4501NT1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 3.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV

Qg-栅极电荷: 2.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.25 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 3 ns

正向跨导 - 最小值: 9 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 12 ns

系列: NTR4501

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 12 ns

典型接通延迟时间: 6.5 ns

单位重量: 8 mg