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BSZ160N10NS3G 封装PG-TSDSON 晶体管, MOSFET, N沟道 原装现货

发布时间2022-4-27 9:38:00关键词:BSZ160N10NS3
摘要

BSZ160N10NS3G

BSZ160N10NS3

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 25 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 5 ns

正向跨导 - 最小值: 16 S

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

系列: OptiMOS 3

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 22 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

宽度: 3.3 mm

零件号别名: SP000482390 BSZ16N1NS3GXT BSZ160N10NS3GATMA1

单位重量: 38.760 mg