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SQ4401EY-T1_GE3 MOSFET贴片 P沟道40V17.3A场效应管

发布时间2022-8-25 11:20:00关键词:SQ4401EY-T1_GE3
摘要

SQ4401EY-T1_GE3

SQ4401EY-T1_GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 17.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 74 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 7.14 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 44 ns

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 76 ns

系列: SQ

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 67 ns

典型接通延迟时间: 58 ns

宽度: 3.9 mm

零件号别名: SQ4401EY-T1_BE3

单位重量: 187 mg